近日，重慶青山與重慶大學聯合研發的SiC功率芯片首輪流片成功下線。
SiC功率芯片是一種基于碳化硅(SiC)材料制成的功率半導體芯片，屬于第三代半導體技術，相比傳統硅基功率芯片，具有高耐壓、低損耗、高頻高效等特性，主要應用于新能源汽車的電驅電控系統，是新能源技術升級的關鍵方向。
此次雙方聯合研發的SiC功率芯片，在耐壓和閾值電壓等關鍵參數上均表現出優秀的性能。器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達1700V以上;閾值電壓一致性表現優異，通過率達到98%，實測值分布集中，具有較強的抗干擾能力，在大批量使用時更易于配對，從而節約成本。